氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）器件采用pGaN架構，具備常關型特征，與相應的硅（Si）器件相比，具有低一個數量級的柵極電荷和輸出電荷，結合幾乎為零的反向恢復電荷，可以支持更簡單的拓撲結構，實現更高的系統效率。