超結器件（Super Junction MOSFET）實現N型和P型周期排列結型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場轉換到體內場，相對于傳統VDMOS器件Rdson*A-BV關系從2.5次方變為1.32次方。

CoolSemi SJ產品采用先進的超結技術和優化的設計結構，極低特征導通電阻（Rdson*A）優于Infineon C6系列，有效提升開關電源的效率及功率密度。